首页
制造商
零件分类
搜索
登录
☰
首页
/
分立半导体产品
/
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
/ Texas Instruments CSD13202Q2
CSD13202Q2
Active
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
描述:
MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
制造商:
Texas Instruments
数据手册:
CSD13202Q2 数据手册
历史价格: $0.58000
在库: 4000
分销商
规格参数
PDF数据表
替代
零件编号
制造商
联系人
电子邮件
询价数量
国家/地区
提交询价
CSD13202Q2 vs CSD25484F4
零件编号
CSD13202Q2
CSD25484F4
分类
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
制造商
Texas Instruments
Texas Instruments
系列
NexFET
FemtoFET
包装
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
状态
Active
Active
FET 类型
N-Channel
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
12 V
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A (Ta)
2.5A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V, 4.5V
1.8V, 8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.3mOhm @ 5A, 4.5V
94mOhm @ 500mA, 8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250μA
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.6 nC @ 4.5 V
1.42 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
?V
-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
997 pF @ 6 V
230 pF @ 10 V
FET 功能
-
-
功率耗散（最大值）
2.7W (Ta)
500mW (Ta)
工作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
安装类型
Surface Mount
Surface Mount
供应商器件封装
6-WSON (2x2)
3-PICOSTAR
封装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
3-XFDFN
