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晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
/ Texas Instruments CSD13303W1015
CSD13303W1015
Active
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
描述:
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
制造商:
Texas Instruments
数据手册:
CSD13303W1015 数据手册
历史价格: $0.53000
在库: 25475
分销商
规格参数
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CSD13303W1015 vs CSD25201W15
零件编号
CSD13303W1015
CSD25201W15
分类
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
制造商
Texas Instruments
Texas Instruments
系列
NexFET
NexFET
包装
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
状态
Active
Obsolete
FET 类型
N-Channel
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
12 V
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A (Ta)
4A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V, 4.5V
1.8V, 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20mOhm @ 1.5A, 4.5V
40mOhm @ 2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250μA
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.7 nC @ 4.5 V
5.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
?V
-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
715 pF @ 6 V
510 pF @ 10 V
FET 功能
-
-
功率耗散（最大值）
1.65W (Ta)
1.5W (Ta)
工作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
安装类型
Surface Mount
Surface Mount
供应商器件封装
6-DSBGA (1x1.5)
9-DSBGA
封装/外壳
6-UFBGA, DSBGA
9-UFBGA, DSBGA
