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晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
/ Texas Instruments CSD13306W
CSD13306W
Active
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
描述:
MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
制造商:
Texas Instruments
数据手册:
CSD13306W 数据手册
历史价格: $0.54000
在库: 49300
分销商
规格参数
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CSD13306W vs CSD25484F4T
零件编号
CSD13306W
CSD25484F4T
分类
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
制造商
Texas Instruments
Texas Instruments
系列
NexFET
FemtoFET
包装
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
状态
Active
Active
FET 类型
N-Channel
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
12 V
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A (Ta)
2.5A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V, 4.5V
1.8V, 8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
94mOhm @ 500mA, 8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250μA
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.2 nC @ 4.5 V
1.42 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
?0V
-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1370 pF @ 6 V
230 pF @ 10 V
FET 功能
-
-
功率耗散（最大值）
1.9W (Ta)
500mW (Ta)
工作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
安装类型
Surface Mount
Surface Mount
供应商器件封装
6-DSBGA (1x1.5)
3-PICOSTAR
封装/外壳
6-UFBGA, DSBGA
3-XFDFN
