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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET,MOSFET
/ Texas Instruments CSD13380F3
CSD13380F3
Active
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET,MOSFET
描述:
MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
制造商:
Texas Instruments
数据手册:
CSD13380F3 数据手册
历史价格: $0.45000
在库: 46950
分销商
规格参数
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替代
零件编号
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CSD13380F3 vs CSD23202W10
零件编号
CSD13380F3
CSD23202W10
分类
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET,MOSFET
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET,MOSFET
制造商
Texas Instruments
Texas Instruments
系列
FemtoFET
NexFET
包装
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
状态
Active
Active
FET 类型
N-Channel
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
12 V
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A (Ta)
2.2A (Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V, 4.5V
1.5V, 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
76mOhm @ 400mA, 4.5V
53mOhm @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 250μA
900mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.2 nC @ 4.5 V
3.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
8V
-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
156 pF @ 6 V
512 pF @ 6 V
FET 功能
-
-
功率耗散(最大值)
500mW (Ta)
1W (Ta)
工作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
安装类型
Surface Mount
Surface Mount
供应商器件封装
3-PICOSTAR
4-DSBGA (1x1)
封装/外壳
3-XFDFN
4-UFBGA, DSBGA