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晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
/ Texas Instruments CSD18503Q5A
CSD18503Q5A
Active
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
描述:
MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON
制造商:
Texas Instruments
数据手册:
CSD18503Q5A 数据手册
历史价格: $1.68000
在库: 25075
分销商
规格参数
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CSD18503Q5A vs CSD25302Q2
零件编号
CSD18503Q5A
CSD25302Q2
分类
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
制造商
Texas Instruments
Texas Instruments
系列
NexFET
NexFET
包装
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
状态
Active
Obsolete
FET 类型
N-Channel
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
40 V
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A (Ta), 100A (Tc)
5A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V, 10V
1.8V, 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3mOhm @ 22A, 10V
49mOhm @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250μA
900mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
32 nC @ 10 V
3.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
?0V
?V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2640 pF @ 20 V
350 pF @ 10 V
FET 功能
-
-
功率耗散（最大值）
3.1W (Ta), 120W (Tc)
2.4W (Ta)
工作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
安装类型
Surface Mount
Surface Mount
供应商器件封装
8-VSONP (5x6)
6-SON
封装/外壳
8-PowerTDFN
6-SMD, Flat Leads
