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晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
/ Texas Instruments CSD18540Q5B
CSD18540Q5B
Active
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
描述:
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
制造商:
Texas Instruments
数据手册:
CSD18540Q5B 数据手册
历史价格: $2.67000
在库: 47200
分销商
规格参数
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替代
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CSD18540Q5B vs CSD17577Q3A
零件编号
CSD18540Q5B
CSD17577Q3A
分类
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
制造商
Texas Instruments
Texas Instruments
系列
NexFET
NexFET
包装
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
状态
Active
Active
FET 类型
N-Channel
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60 V
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A (Ta)
35A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V, 10V
4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2mOhm @ 28A, 10V
4.8mOhm @ 16A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250μA
1.8V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
53 nC @ 10 V
35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
?0V
?0V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4230 pF @ 30 V
2310 pF @ 15 V
FET 功能
-
-
功率耗散（最大值）
3.1W (Ta), 195W (Tc)
2.8W (Ta), 53W (Tc)
工作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
安装类型
Surface Mount
Surface Mount
供应商器件封装
8-VSON-CLIP (5x6)
8-VSONP (3x3.3)
封装/外壳
8-PowerTDFN
8-PowerVDFN
