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晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
/ Texas Instruments CSD23280F3T
CSD23280F3T
Active
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
描述:
MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR
制造商:
Texas Instruments
数据手册:
CSD23280F3T 数据手册
历史价格: $0.94000
在库: 2875
分销商
规格参数
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替代
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CSD23280F3T vs CSD18504KCS
零件编号
CSD23280F3T
CSD18504KCS
分类
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
制造商
Texas Instruments
Texas Instruments
系列
FemtoFET
NexFET
包装
Tape & Reel (TR)
Tube
状态
Active
Active
FET 类型
P-Channel
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
12 V
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A (Ta)
53A (Ta), 100A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V, 4.5V
4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
116mOhm @ 400mA, 4.5V
7mOhm @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
0.95V @ 250μA
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.23 nC @ 4.5 V
25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
-6V
?0V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
234 pF @ 6 V
1800 pF @ 20 V
FET 功能
-
-
功率耗散（最大值）
500mW (Ta)
115W (Tc)
工作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
安装类型
Surface Mount
Through Hole
供应商器件封装
3-PICOSTAR
TO-220-3
封装/外壳
3-XFDFN
TO-220-3
