MT41K256M16TW-107:P vs MT49H32M9SJ-25:B | 规格参数对比 | 芯目录 icDirectory.com

MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW-107:P

Active

描述: IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA

制造商: Micron Technology

数据手册: MT41K256M16TW-107:P 数据手册

历史价格: $7.06000

在库: 5625

MT41K256M16TW-107:P vs MT49H32M9SJ-25:B

零件编号

MT41K256M16TW-107:P

MT49H32M9SJ-25:B

分类

制造商

Micron Technology

Micron Technology

系列

-

-

包装

Tray

Tray

状态

Active

Obsolete

存储器类型

Volatile

Volatile

存储器格式

DRAM

DRAM

技术

SDRAM - DDR3L

DRAM

存储容量

4Gbit

288Mbit

存储器组织

256M x 16

32M x 9

存储器接口

Parallel

Parallel

时钟频率

933 MHz

400 MHz

写周期时间 - 字，页

-

-

访问时间

20 ns

20 ns

电压 - 供电

1.283V ~ 1.45V

1.7V ~ 1.9V

工作温度

0 ℃ ~ 95 ℃ (TC)

0 ℃ ~ 95 ℃ (TC)

安装类型

Surface Mount

Surface Mount

封装/外壳

96-TFBGA

144-TFBGA

供应商器件封装

96-FBGA (8x14)

144-FBGA (18.5x11)