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晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
/ Infineon Technologies IRF7842PBF
IRF7842PBF
Discontinued
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
描述:
MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
制造商:
Infineon Technologies
数据手册:
IRF7842PBF 数据手册
历史价格: Discontinued at Digi-Key
在库: 19875
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IRF7842PBF 规格参数
规格参数
零件编号
IRF7842PBF
分类
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET
包装
Tube
状态
Discontinued
环境合规
是否含铅
否
抗辐射硬化
否
REACH SVHC
无SVHC
RoHS
符合
海关编码
-
技术参数
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5mOhm @ 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.25V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
50 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
?0V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4500 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta)
工作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
IRF7842PBF PDF数据表
IRF7842PBF 数据手册
点击下载: IRF7842PBF 数据手册
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