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晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
/ Infineon Technologies IRF7842PBF
IRF7842PBF
Discontinued
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
描述:
MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
制造商:
Infineon Technologies
数据手册:
IRF7842PBF 数据手册
历史价格: Discontinued at Digi-Key
在库: 19875
分销商
规格参数
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IRF7842PBF vs IRFZ48VSTRLPBF
零件编号
IRF7842PBF
IRFZ48VSTRLPBF
分类
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
Infineon Technologies
系列
HEXFET
HEXFET
包装
Tube
Tape & Reel (TR)
状态
Discontinued
Obsolete
FET 类型
N-Channel
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
40 V
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A (Ta)
72A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V, 10V
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5mOhm @ 17A, 10V
12mOhm @ 43A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.25V @ 250μA
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
50 nC @ 4.5 V
110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
?0V
?0V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4500 pF @ 20 V
1985 pF @ 25 V
FET 功能
-
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta)
150W (Tc)
工作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
安装类型
Surface Mount
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
D2PAK
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
